Osaka Vacuum 大阪真空 TG450F 渦輪分子泵

Osaka Vacuum 大阪真空 TG450F 渦輪分子泵Osaka Vacuum 大阪真空 TG450F 渦輪分子泵

核心參數

• 產品系列：TGkine®?B，分為 M?B 標準型、MI?B 反應生成物對策型

• 軸承方式：五軸主動控制磁懸浮軸承，無機械接觸、無油設計

• 氮氣抽速：1700?4200L/s，適配大流量高負載工況

• 極限真空：烘烤后＜2×10??Pa

• 防護等級：IP54

• 通訊：支持 EtherCAT 工業通訊，適配自動化設備系統

• 安裝：支持任意角度安裝

• 運轉模式：具備低速運轉模式，可依照工藝進行設置

• 細分型號

1. M?B 標準型：TGkine1700M?B、2200M?B、3300M?B、3400M?B、3800M?B、4200M?B

2. MI?B 防反應生成物型：TGkine2200MI?B、3300MI?B、3400MI?B、3800MI?B，搭載內部自加熱隔熱結構，減少工藝副產物堆積固化

產品特點

1. 泵體與電源控制器一體化設計，無需額外外置控制器機架與長距離動力線纜，節約安裝空間，簡化布線，降低配套成本。

2. 五軸磁懸浮非接觸轉子結構，無潤滑油，不存在機械磨損，振動與噪音低，輸出潔凈無油真空環境，長時間運行穩定，維護周期長。

3. 轉子結構優化，抽速大、氣體處理能力強，可耐受氬氣等工藝氣體，適配半導體重負載工藝；MI?B 機型自帶內部加熱隔熱機構，減少蝕刻工藝產生的反應副產物附著，延長泵的使用壽命。

4. IP54 防護，現場環境適應能力強；可對接上位控制系統，能夠設置低速運行，適配多種制程工況。

5. 可任意角度安裝，設備布局靈活；整機輕量化，拆裝檢修方便。

典型應用場景

• 半導體、FPD 平板顯示行業，蝕刻、濺射、薄膜沉積工藝設備

• 太陽能電池、光學鏡片鍍膜、薄膜加工設備

• 加速器、空間環境模擬設備、理化分析類科研裝置

選型提示：普通工藝選用 M?B 標準系列；蝕刻等容易產生反應副產物工況優先選用 MI?B 版本；需要控制器與泵體分離選型參考 TGkine?R 系列。

配套配件

前級真空泵、真空法蘭配件、通訊線纜、MI?B 專用溫控組件